Gallium(III) ocsid o Ansawdd Uchel RHIF CAS 12024-21-4 Gwneuthurwr Aloiau Entropi Uchel

Defnyddir y cyfansoddyn mewn dadansoddiad sbectrosgopig ac wrth baratoi gallium arsenide ar gyfer gwneud lled-ddargludyddion. Mewn lled-ddargludyddion; synhwyro nwy; catalysis. Nanostrwythurau fel allyrwyr golau glas ac UV mewn cymwysiadau dyfeisiau optoelectroneg. Mae Gallium(III) ocsid wedi'i adrodd mewn cymwysiadau mewn laserau, ffosfforau, a deunyddiau goleuol. Monoclinic ?-Ga2O3 yn cael ei ddefnyddio mewn synwyryddion nwy a phosphors luminescent a gellir eu cymhwyso i haenau dielectric ar gyfer celloedd solar. Mae'r ocsid sefydlog hwn hefyd wedi dangos potensial ar gyfer ocsidau dargludol tryloyw dwfn-uwchfioled, a chymwysiadau transistor. Mae ffilmiau tenau Ga2O3 o ddiddordeb masnachol fel deunyddiau sy'n sensitif i nwy. Defnyddir ?-Gallium(III) ocsid i gynhyrchu catalydd Ga2O3-Al2O3. Defnyddir Gallium(III) ocsid mewn dyddodiad gwactod. Mae'n ddefnyddiol ar gyfer gwneud dyfeisiau lled-ddargludyddion, catalydd galiwm-alwmina, synwyryddion nwy, ffosfforau goleuol a haenau deuelectrig o gelloedd solar. Mae'n dangos potensial ar gyfer datblygu TCOs dwfn-uwchfioled (Ocsidau Dargludol Tryloyw) ac electrodau tryloyw ar gyfer dyfeisiau optoelectroneg uwchfioled. Mae astudiaethau diweddar yn nodi y gall gallium ocsid fod yn gystadleuydd cryf ar gyfer dyfeisiau electronig pŵer er enghraifft, mewn cymwysiadau newid pŵer foltedd uchel. Mae ffilmiau wedi'u gwneud o gallium ocsid wedi ennill diddordeb masnachol oherwydd eu nodweddion nwy sensitif, a gwydrau wedi'u gwneud â gallium ocsid yw'r deunyddiau optegol a ffafrir i'w defnyddio mewn technolegau uwch.