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電子産業 AlN の粉窒化アルミニウムの粉 AlN 顆粒 CAS 24304-00-5 高エントロピー合金

・商品名: 窒化アルミニウム(AlN)

• 原産地:中国、上海

• 仕様 :99.99%

• サイズ:顧客の要求

・CAS : 24304-00-5

• モルファイル:24304-00-5.mol

• 認証:ISO9001、CE、RoHS、ISO14001

    プロパティ

    応用:研究
    分子量:46.0279
    融点:>2200℃
    • 形状: 粒子
    ブランド名:ロンウィン
    • MOQ: 1KG

    製品の使用方法


    窒化アルミニウム (AIN) は重要な III-V 族半導体材料であり、高い熱伝導率 (~320 Wm10^ -1 K^-1)、高い電気抵抗 (>10^10) などの多くの優れた特徴により大きな注目を集めています。 Ωcm)、低い誘電率 (8.6)、広いバンドギャップ (6.2eV)、および低い熱膨張係数 (4.2x 10-6°C)-1 は、Si 半導体と GaN 半導体の両方に適合します。 これらの特性により、AIN は電子、光、および電界放出デバイスで使用するための優れた候補になります。 窒化アルミニウムの利点 170 W/m K の熱伝導率による高い放熱性 BeO の無毒な代替品 Si、GaN、および GaAs 半導体と同様の熱膨張係数 高い絶縁耐力。 窒化アルミニウムは非常に高い熱伝導率を有しており、セラミック産業で有効に使用されています。 この製品は、深紫外線オプトエレクトロニクス、鉄鋼生産、光記憶媒体の誘電体層、チップキャリア、およびガリウムヒ素の結晶を成長させるるつぼとして用途が見出されています。 また、無線周波数フィルターとしても使用され、携帯電話にも応用されています。 さらに、半導体の回路キャリアとしても使用されます。 これに加えて、発光ダイオード照明技術のヒートシンクとしても使用されます。 窒化アルミニウムは、酸化アルミニウムと同様の用途で電気絶縁材料として使用される耐火セラミックです。 AlN は、サファイア上に LED を製造するための GaN を使用した光学デバイスや半導体デバイス、および圧電 MEMS デバイスにも使用されます。 半導体エレクトロニクスにおいて。 鉄鋼製造において。 AlN コンポーネントおよび基板は、電気エンジン、マイクロエレクトロニクス、海軍無線および防衛システム、鉄道輸送システム、電気通信および研究衛星、および排出ガス制御システムで使用されます。

    パッキング:
    通常の梱包は25kg/ドラムです
    パッケージはカスタマイズ可能です。 配送条件は海路、航空路で、サンプルまたは少量の場合はDHL、FEDEX、EMS、TNTで発送できます。
    注: 化学組成とサイズは顧客の要件に応じて最適化できます。ソリッド 1q95ソリッド 2gwy
    非互換性を含む安全な保管条件
    アンモニア、強過酸化水素溶液、強酸から離しておく。

    安全保護

    安全に取り扱うための注意事項
    換気の良い場所で取り扱ってください。 適切な保護服を着用してください。 皮膚や目との接触を避けてください。 粉塵やエアロゾルの生成を避けてください。 火花が出ない工具を使用してください。 静電気放電による蒸気による火災を防ぎます。

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