Ғылым ашқан екі өлшемді материалды зерттеудегі серпіліс!

Муардың үстіңгі торлары - екі немесе одан да көп екі өлшемді торлар арасындағы аз ғана орын ауыстырулар нәтижесінде пайда болатын мерзімді құрылымдар. Бұл муар үстіңгі торларында электронды мінез-құлыққа қатты әсер етуі мүмкін, бұл кванттық Холл изоляторлары сияқты дәстүрлі емес күйлерді тудырады. Дегенмен, кішігірім бұралу бұрыштарында муардың суперторларына қол жеткізу белгілі бір материалдар үшін қиындық болып қала береді. Бұл электронды корреляциялық әсерлерді түсіну және пайдалану үшін өте маңызды, өйткені электронды корреляция көбінесе шағын бұралу бұрыштарында айқын көрінеді. Дегенмен, эксперименттік қиындықтарға байланысты, бұл жүйелердегі күшті корреляцияларды зерттеу негізінен жүйелі бақылау мен зерттеудің жоқтығынан нақты бұралу бұрыштарына немесе үлкен қабат аралық бұрмалануларға бағытталған.

Профессор Бенджамин Э.Фельдман және оның Стэнфорд университетіндегі зерттеу тобы осы мәселені шеше отырып, «Science» журналында «WSe2 екі қабатты көпжолақты топологияны картаға түсіру» атты жақында зерттеу жұмысын жариялады. Ғалымдар қос қабатты вольфрам диеленидінде шамамен 1,23° бұралған құрылымды жасап, сканерлеуші ​​бір электронды транзисторлы микроскопты пайдаланып жергілікті электронды сығылуды өлшеуді орындады. Олар осы ерекше бұралу бұрышының жанында бірнеше топологиялық жолақтардың болуын анықтады, олар бірқатар кванттық аномальді Холл изоляторларын көрсетті. Жергілікті электр өрісін қолдану арқылы олар топологиялық кванттық фазалық ауысуды да сәтті индукциялады. Бұл зерттеу күшті корреляциялар мен топологиялық қасиеттер арасындағы өзара әрекеттесуді одан әрі зерттеу үшін қуатты платформаны қамтамасыз ете отырып, кішігірім бұралу бұрыштарында муар суперторларына қол жеткізу және зерттеу мәселелерін қарастырады.