0102030405
Héich Puritéit Mangan Telluride MnTe 4N Block, Pudder CAS 12068-90-5 fir ze verkafen um Fabréckspräis High-Entropy Alloys
Eegeschaften
•Applikatioun:Fuerschung
•Molekulare Gewiicht:182,54
•Schmëlzpunkt :1177 °C
• Form: Partikel
•Mark Numm: Lonwin
• MOQ: 1KG
Produkter Benotzung
Mangan Telluride (MnTe) Pudder huet e puer industriell Gebrauch, haaptsächlech déi folgend Aspekter abegraff:
Semiconductor Material: Mangan Telluride ass e Hallefleitmaterial dat benotzt ka ginn fir optoelektronesch Geräter, Photovoltaikzellen an aner elektronesch Geräter ze fabrizéieren.
Magnéitescht Material: Zënter Mangan Tellurid huet gewësse Magnetismus, kann et benotzt ginn fir magnetesch Materialien ze fabrizéieren, sou wéi magnetesch Späichermedien a magnetesch Sensoren.
Optesch Materialien: Mangan Tellurid huet gewësse optesch Eegeschaften a kënne benotzt ginn fir Infraroutoptesch Geräter, Infraroutsensoren an aner optesch Geräter ze fabrizéieren.
Chemesche Reagens: Mangan Telluridpulver kann och als chemesche Reagens benotzt ginn, spillt eng Roll bei chemeschen Experimenter an der industrieller Produktioun.
Am Allgemengen huet Mangan Tellurid Puder gewësse industrielle Gebrauch an de Beräicher vun Hallefleit, magnetesche Materialien, opteschen Materialien a chemesche Reagenz.
Verpackung:
Eis normal Verpakung ass 25kgs / Drum
D'Verpakung kann personaliséiert ginn. de Versandbegrëff kann iwwer Mier sinn, duerch d'Loft, a Probe oder kleng Quantitéit ka vun DHL, FEDEX, EMS an TNT geschéckt ginn.
Bemierkung: Chemesch Zesummesetzung a Gréisst kënnen duerch d'Ufuerderunge vun de Clienten optimiséiert ginn
Konditioune fir sécher Lagerung, och all Inkompatibilitéit
Getrennt vun Ammoniak, staark Waasserstoffperoxid Léisungen a staark Saieren.
Sécherheet Schutz
Precautiounen fir sécher Ëmgank
Handhabung an enger gutt gelëfter Plaz. Droen gëeegent Schutzkleedung. Vermeiden Kontakt mat Haut an Aen. Vermeiden d'Bildung vu Stëbs an Aerosolen. Benotzt Net-Sparking Tools. Vermeiden Feier verursaacht duerch elektrostatesch Entladungsdamp.